بررسی و محاسبه آسیب پرتویی ناشی از طیف پرتوهای خورشیدی بر ساختار کریستالی قطعات نیمه هادی
Authors
abstract
محیط فضایی به علت وجود گستره وسیعی از تشعشعات فضایی نگرانی هایی را در کارکرد صحیح سیستم های الکترونیکی و تجهیزات مورد استفاده در فضا ایجاد کرده است. بنابراین با توجه به حساسیتی که این قطعات به تشعشعات دارند، برای تمام قطعات این سیستم ها یا در مرحله ساخت یا در فاز طراحی، نکات و تکنیک های مقاوم سازی در برابر اثرات تابشی صورت می گیرد که نیازمند مطالعات دقیق در زمینه ساز و کار آسیب در این سیستم هاست. یکی از تکنیک های مقاوم سازی ایجاد حفاظ روی قطعات الکترونیکی و بررسی اثرات تابشی روی آن با استفاده از نرم افزارهایی است که قادر به شبیه سازی آسیب است. در این مقاله با استفاده از نرم افزار trimمقادیر آسیب جابه جایی، تهی جا، برخورد های جایگزین و یونیزاسیون به وجود آمده در قطعات الکترونیکی گالیوم آرسنید و سیلیکونی و همچنین همراه با لایه ای از فلزات به عنوان حفاظ محاسبه و بررسی شده اند. نتایج خروجی نشان می دهد که هر چه حفاظ ها ضخامت بیشتر داشته باشند و متشکل از تعداد عناصر بیشتر با عدد اتمی بالا باشند، مقاومت آنها در برابر پرتو های تابشی بیشتر می شود و آسیب های به وجود آمده در قطعات الکترونیکی کمتر خواهد بود. همچنین آسیب های حاصل از پرتوهای فرودی یون های هلیم بسیار بیشتر از یون های هیدروژن است.
similar resources
بررسی و محاسبة آسیب پرتویی ناشی از طیف پرتوهای خورشیدی بر ساختار کریستالی قطعات نیمههادی
محیط فضایی به علت وجود گسترة وسیعی از تشعشعات فضایی نگرانیهایی را در کارکرد صحیح سیستمهای الکترونیکی و تجهیزات مورد استفاده در فضا ایجاد کرده است. بنابراین با توجه به حساسیتی که این قطعات به تشعشعات دارند، برای تمام قطعات این سیستمها یا در مرحلة ساخت یا در فاز طراحی، نکات و تکنیکهای مقاومسازی در برابر اثرات تابشی صورت میگیرد که نیازمند مطالعات دقیق در زمینة ساز و کار آسیب در این سیستمهاس...
full textمحاسبه ظرفیت خازنی ساختارهای مختلف نیمه هادی و کاربرد آن در قطعات نیمه هادی تک الکترونی
در این پروژه پس از معرفی قطعات تک-الکترون متعارف و مورد استفاده و مشکلات آنها، به بررسی ساختارهای سوزنی شکل در ابعاد و اندازه های متفاوت می پردازیم. این ساختارها به بافت سیلیکون متخلخل بسیار شبیه هستند. با اسبفاده از قابلیت های برنامه ی fastcap، پس از شبیه سازی ساختارهای تعریف شده، خازن آنها محاسبه و نشان داده می شود که مقدار این خازن در همان حدی است که جزیره های بکار برده شده در ادوات تک-الکتر...
15 صفحه اولامکان سنجی بکارگیری عناصر نیمه هادی از نوع PIN به منظور دزیمتری پرتوهای ایکس تشخیصی
Knowing patient exact dose during radiological activities is considered as one of the main principles to decrease radiation-induced dangers which are not really necessary and affect a great deal of people. In this respect, in recent years many extensive studies have been done on types of photodiodes and production of X-ray detectors using semiconductor elements. Since these elements are not ver...
full textتشخیص الگوهای غیرطبیعی در فرآیند ساخت قطعات نیمه هادی با استفاده از شبکه های عصبی
در فرآیندهای ساخت قطعات نیمه هادی اطلاع از وجود الگوهای غیرطبیعی بر روی نمودارهای کنترلی مربوط به فرایند و پیش بینی وقوع آنها امری مهم و شایان توجه است. در این نوشتار ، فرآیند ساخت گیت ترانزیستورهای MESFET در مدار مجتمع یک تقویت کننده مایکروویو GaAs به عنوان نمونه انتخاب شده است. سپس ضمن ارائه توضیحاتی پیرامون چگونگی بدست آوردن نمودارهای کنترلی و نیز نحوه استفاده از داده های مربوط به فرآیند، رو...
full textمدل سازی حجم حساس در محاسبه سطح مقطع آسیب پرتوییseu ناشی از پرتوهای فضایی
یکی از مهم ترین پارامتر ها در محاسبه سطح مقطع آسیب seuناشی از پرتوهای فضایی، شکل و اندازه حجم حساس سلول حافظه الکترونیکی است. تاکنون مدل های مختلفی برای محاسبه حجم حساس ارائه شده است، لیکن ارزیابی جامعی از میزان انطباق نتایج حاصل از به کارگیری این مدل ها با نتایج تجربی صورت نگرفته است.در این مقاله، نتایج حاصل از مدل هایrpp ، tetrahedralو nestedsensitivevolumeبرای محاسبه حجم حساس سلول حافظه الکت...
full textنیمه هادی ها و ترانزیستور
در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .
full textMy Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
علوم و فناوری فضاییجلد ۶، شماره ۳، صفحات ۰-۰
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023